2022年受消費電子市場需求疲軟影響，芯片行業(yè)整體處于下行周期，2022年末芯片指數(shù)較年初下降27.16%，其中存儲芯片受到的影響最大，2022年末板塊指數(shù)較年初下降32.25%。
2023年初以來在AI算力預(yù)期需求刺激以及國產(chǎn)替代加速背景下，疊加國際大廠相繼宣布大幅下調(diào)資本支出對市場釋放出供給擴(kuò)張減緩信號，板塊迎來反彈，存儲板塊指數(shù)從年初至今上漲48.1%，對于存儲行業(yè)目前所處現(xiàn)狀以及產(chǎn)業(yè)鏈上相關(guān)公司，本文來分析一下。
資料來源：wind，鈦媒體產(chǎn)業(yè)研究部
DRAM市場占比高，主要被海外廠商壟斷
存儲芯片是以半導(dǎo)體電路作為存儲介質(zhì)，通過對電子或電荷充放電標(biāo)記不同的存儲狀態(tài)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，根據(jù)斷電后存儲的信息是否保留，存儲芯片分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。
易失性存儲芯片在斷電后存儲數(shù)據(jù)會消失，包括靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）；非易失性存儲芯片在斷電后存儲數(shù)據(jù)仍會保留，包括快閃存儲器（FlashMemory）和只讀存儲器（ROM）。
其中FlashMemory又分為NORFlash和NANDFlash，NORFlash可以在其上面直接運行代碼，讀寫速度更快，但容量較小，NANDFlash寫入和擦除速度更快，容量較大。
常用的存儲芯片主要包括DRAM、NORFlash和NANDFlash，按出貨量來看，DRAM市場份額最高，根據(jù)ICInsights數(shù)據(jù)，2021年DRAM出貨量市場占比達(dá)到43%，NANDFlash和NORFlash出貨量市場占比分別為30%和9%。
目前存儲芯片主要被國外廠商壟斷，國產(chǎn)化率較低，其中DRAM市場目前主要被海外廠商三星、海力士和美光三家壟斷，2021年全球市場份額分別為43%、28%和23%，CR3達(dá)到94%，集中度最高。
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NANDFlash被三星、鎧俠、海力士以及美光等六家廠商壟斷，CR6為93%，其中三星2021年市場份額占34%，排名第一；NORFlash被旺宏和華邦壟斷，2021年兩家全球市場份額之和為52%，兆易創(chuàng)新以18%的市占率排名第三。